带有ESD保护，900MHz／2．4GHz Dual-Band CMOS LNA的设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏本富; 袁国顺; 徐东华; 赵冰 |
| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:2页码:4，600-603 |
| 关键词 | Cmos 低噪声放大器 双频带 静电防护 噪声系数 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 设计了一个可以同时工作在900MHz和2．4GHz的双频带（Dual-Band）低噪声放大器（LNA）。相对于使用并行（parallel）结构LNA的双频带解决方案，同时工作（concurrent）结构的双频带LNA更能节省面积和减少功耗。此LNA在900MHz和2．4GHz两频带同时提供窄带增益和良好匹配。该双频带LNA使用TSMC0．25μm 1P5M RF CMOS工艺。工作在900MHz时，电压增益、噪声系数（Noise Figure）分别是21dB、2．9dB；工作在2．4GHz时，电压增益、噪声系数分别是25dB、2．8dB，在电源电压为2．5V时，该LNA的功耗为12．5mW，面积为1．1mm×0．9mm。使用新颖的静电防护（ESD）结构使得在外围PAD上的保护二极管面积仅为8μm×8μm时，静电防护能力可达2kV（人体模型） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2072]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏本富,袁国顺,徐东华,等. 带有ESD保护，900MHz／2．4GHz Dual-Band CMOS LNA的设计[J]. 电子器件,2008,31(2):4，600-603. |
| APA | 魏本富,袁国顺,徐东华,&赵冰.(2008).带有ESD保护，900MHz／2．4GHz Dual-Band CMOS LNA的设计.电子器件,31(2),4，600-603. |
| MLA | 魏本富,et al."带有ESD保护，900MHz／2．4GHz Dual-Band CMOS LNA的设计".电子器件 31.2(2008):4，600-603. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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