一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王良坤; 马成炎; 叶甜春
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:3页码:4，841-844 |
| 关键词 | Cmos射频集成电路 低噪声放大器 耦合电容 噪声系数 全球定位系统 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 提出并设计了一种应用于GPS接收机中的1.5 GHz低噪声放大器，该放大器采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺制作。与传统的共源共栅结构相比，该电路引入了级间耦合电容，使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向功率增益为21.8 dB，NF为0.96 dB，IIP3为-11 dBm，功耗为20 mW，且输入输出阻抗匹配良好，满足GPS接收机射频前端对低噪声放大器的要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2100]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王良坤,马成炎,叶甜春. 一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计[J]. 电子器件,2008,31(3):4，841-844. |
| APA | 王良坤,马成炎,&叶甜春.(2008).一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计.电子器件,31(3),4，841-844. |
| MLA | 王良坤,et al."一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计".电子器件 31.3(2008):4，841-844. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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