一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置
文献类型:专利
作者 | 景玉鹏![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2008-02-27 |
专利号 | CN200720103994.5 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
英文摘要 | 本实用新型公开了一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置,包 括:超临界干燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室和温度控制室组成; 高压反应室用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室, 与二氧化碳气瓶相连,且高压反应室的外壁上安装有半导体制冷环;温度 控制室通过蒸发器盘管与高压反应室相连,实现高压反应室的制冷和加 热;分离减压室通过管道与高压反应室相连,用于减压后将醇类和二氧化 碳分离;超临界干燥室与分离减压室通过支座台固定连接。利用本实用新 型,解决了微细加工中干燥时粘连的问题,降低了液体二氧化碳的消耗量, 达到了节约能源的目的,与二氧化碳制冷或氟里昂制冷相比,结构简单, 无噪音,无污染,制冷速度快。 |
申请日期 | 2007-03-28 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7246] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 景玉鹏,叶甜春,欧毅,等. 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置. CN200720103994.5. 2008-02-27. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。