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一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置

文献类型:专利

作者景玉鹏; 叶甜春; 欧毅; 陈大鹏; 刘茂哲
发表日期2008-02-27
专利号CN200720103994.5
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类实用新型
英文摘要

本实用新型公开了一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置,包 括:超临界干燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室和温度控制室组成; 高压反应室用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室, 与二氧化碳气瓶相连,且高压反应室的外壁上安装有半导体制冷环;温度 控制室通过蒸发器盘管与高压反应室相连,实现高压反应室的制冷和加 热;分离减压室通过管道与高压反应室相连,用于减压后将醇类和二氧化 碳分离;超临界干燥室与分离减压室通过支座台固定连接。利用本实用新 型,解决了微细加工中干燥时粘连的问题,降低了液体二氧化碳的消耗量, 达到了节约能源的目的,与二氧化碳制冷或氟里昂制冷相比,结构简单, 无噪音,无污染,制冷速度快。

申请日期2007-03-28
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7246]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
景玉鹏,叶甜春,欧毅,等. 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置. CN200720103994.5. 2008-02-27.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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