一种非平面沟道有机场效应晶体管
文献类型：专利
| 作者 | 刘新宇 ; 刘云圻; 刘洪民; 狄重安; 于贵; 朱道本; 吴德馨; 王鹰; 孙艳明; 徐新军
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| 发表日期 | 2009-03-04 |
| 专利号 | CN200510130758.8 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明是一种非平面沟道场效应晶体管结构，包括衬底、栅极电极、 绝缘层、源漏电极和有机半导体；其在衬底上沉积和图案化栅极以后， 顺次构筑第一层绝缘层、源电极、第二层绝缘层和漏电极，最后沉积有 机半导体层，至少包括一层有机膜。本发明金属层的厚度为30～300纳 米，沟道长度0.3～150微米。 |
| 公开日期 | 2007-07-11 |
| 申请日期 | 2005-12-28 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7250]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,刘云圻,刘洪民,等. 一种非平面沟道有机场效应晶体管. CN200510130758.8. 2009-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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