利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法
文献类型:专利
作者 | 刘明![]() |
发表日期 | 2009-01-21 |
专利号 | CN200510126492.X |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 一种利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法,其工艺步骤如 下:1.在透光基片上淀积一层结构薄膜;2.淀积另外一种材料作为第 二层结构薄膜;3.4.采用化学机械 平坦化或研磨等方法抛光基片表面,得到由第一种与第二种结构材料交 替组成的侧墙阵列;5.选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙,形成纳米 压印模版。 |
公开日期 | 2007-06-20 |
申请日期 | 2005-12-14 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7258] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,王丛舜,涂德钰. 利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法. CN200510126492.X. 2009-01-21. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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