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利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法

文献类型:专利

作者刘明; 王丛舜; 涂德钰
发表日期2009-01-21
专利号CN200510126492.X
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

一种利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法,其工艺步骤如 下:1.在透光基片上淀积一层结构薄膜;2.淀积另外一种材料作为第 二层结构薄膜;3.4.采用化学机械 平坦化或研磨等方法抛光基片表面,得到由第一种与第二种结构材料交 替组成的侧墙阵列;5.选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙,形成纳米 压印模版。

公开日期2007-06-20
申请日期2005-12-14
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7258]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘明,王丛舜,涂德钰. 利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法. CN200510126492.X. 2009-01-21.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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