本发明涉及微电子器件制备技术领域，特别是一种MEMS振动射流执 行器芯片的制备方法，方法包括：1.采用低压化学气相沉积的方法在硅 衬底双面生长氮化硅膜；2.在硅基片正面光刻出上电极图形；3.蒸发 铬/金薄膜；4.超声剥离；5.掩蔽刻蚀；6.在硅基片背面光刻腐蚀窗 口图形；7.胶掩蔽刻蚀背面腐蚀窗口上的氮化硅；8.湿法腐蚀释放拍 动片结构；9.在第二片硅片上满片蒸发铬/金薄膜；10.在第二片硅片 的金膜表面涂光学光刻胶；11.将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第 二片硅片粘合；12.划片成线列器件；13.分别在上下硅片的金膜上焊 接电极引线。应用于小型无人飞行器上。