基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法
文献类型:专利
作者 | 姬濯宇![]() ![]() |
发表日期 | 2008-07-02 |
专利号 | CN200510109338.1 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法,其工艺步骤如下: 1.在基片表面上淀积绝缘薄膜;2.在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光 刻得到下电极图形;3.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极;4.旋涂抗 蚀剂,光刻得到与下电极交叉的上电极图形;5.蒸发、剥离金属得到上 电极;6.液相法自组织生长有机分子材料;7.干法刻蚀多余的有机分 子材料,完成交叉线有机分子器件的制备。 |
公开日期 | 2007-04-18 |
申请日期 | 2005-10-13 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7274] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姬濯宇,涂德钰,胡文平,等. 基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法. CN200510109338.1. 2008-07-02. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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