一种基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法，其工艺步骤如下： 1.在基片上双面淀积氮化硅薄膜；2.在基片上旋涂抗蚀剂，光刻得到 镂空窗口；3.利用抗蚀剂作为掩膜刻蚀氮化硅薄膜；4.利用氮化硅作 为掩膜，湿法腐蚀基片得到氮化硅镂空薄膜；5.在镂空的氮化硅薄膜上 采用聚焦离子束刻蚀电极图形；6.利用所得到的镂空氮化硅薄膜做掩模， 在衬底上蒸发或者溅射金属得到电极。