一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下： 1.在基片表面上淀积氮化硅薄膜；2.在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂， 光刻得到电极图形；3.利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；4.蒸发、剥离 金属得到交叉线下电极；5.生长牺牲层材料；6.化学机械抛光牺牲层 材料至氮化硅薄膜表面；7.旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；8.蒸 发、剥离金属得到上电极；9.牺牲层释放；10.液相法生长有机分子材 料；11.刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。