本发明是一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法， 包括：电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记的设计；用电子束曝光 系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝 光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；在电子束曝光系 统中采用合适的修正方法查找标记等。该方法实现了电子束曝光系统和 光学曝光系统的混合和匹配曝光，其套准精度优于100nm，使我们在缺 乏昂贵的193nm投影光刻机的情况下，利用电子束曝光纳米尺寸的图形， 而用普通的365nm光学投影光刻机曝光其它大尺寸的图形。本发明方法 结合了电子束系统曝光的高分辨率和光学投影光刻机的高效率，大大提 高了纳米器件和电路的研制效率。