厚铝的高精度干法刻蚀方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨荣; 李俊峰; 柴淑敏; 赵玉印; 蒋浩杰; 钱鹤 |
| 发表日期 | 2004-11-19 |
| 专利号 | CN1778993 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种用于厚铝的高精度干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：在表面覆盖有绝缘介质的硅片上，依次溅射一层金属铝层、淀 积一层二氧化硅层和旋涂一层光刻胶层；步骤2：光刻铝版，显影露出 待刻蚀区域的二氧化硅层；步骤3：反应离子刻蚀二氧化硅层；步骤4： 反应离子刻蚀金属铝层；步骤5：去光刻胶层。 |
| 公开日期 | 2006-05-31 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7356]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨荣,李俊峰,柴淑敏,等. 厚铝的高精度干法刻蚀方法. CN1778993. 2004-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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