本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是一种基于静态随机存储 器(SRAM)的快速综合设计方法。SRAM的快速综合设计方法，它主 要分三个操作步骤：首先，与常规的SRAM全定制设计方法相同，它最 初进行SRAM的结构以及晶体管级的电路设计；其次，在常规的设计方 法中，通常对整个版图进行设计与验证，而这种可综合的方法与之不同， 它是根据电路的特点先把电路分为重复单元与非重复单元两类，然后对 这两类电路分别进行版图的绘制和验证，对于重复的单元只需要对最小 的单元进行设计与验证即可；最后，采用综合的技术实现整个电路网表 的整合，这个网表便是后仿真所需的电路网表。