适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
文献类型：专利
| 作者 | 刘新宇 ; 刘健; 吴德馨; 魏珂; 和致经
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| 发表日期 | 2008-06-11 |
| 专利号 | CN200410058037.6 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是 一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合 金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN 接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温 度的范围为660℃-760℃，合金时间在20-60S的范围内。该技术的合 金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺 宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。 |
| 公开日期 | 2006-02-15 |
| 申请日期 | 2004-08-09 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7370]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,刘健,吴德馨,等. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统. CN200410058037.6. 2008-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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