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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统

文献类型:专利

作者吴德馨; 刘健; 魏珂; 和致经; 刘新宇
发表日期2009-04-22
专利号CN200410058035.7
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器 件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触 Al/Ti/Al/Ni/Au,具有很大的工艺宽容度,可以在较低680℃-760℃的情况,获 得满意的欧姆接触特性。该技术的合金温度、合金时间有很大的选择范围, 降低了工艺难度,扩大了工艺宽容度,提高了工艺的重复性。获得比较理 想的合金形貌。这些优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。

公开日期2006-02-15
申请日期2004-08-09
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7374]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
吴德馨,刘健,魏珂,等. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统. CN200410058035.7. 2009-04-22.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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