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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统

文献类型:专利

作者刘新宇; 刘健; 吴德馨; 魏珂; 和致经
发表日期2009-05-06
专利号CN200410058033.8
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器 件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au的欧姆接触系统。新型结构的欧姆接触 Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au,欧姆接触系统在680℃-760℃范围内,20-60S范围获 得理想的一致的欧姆接触。合金温度、合金时间有较大的的选择范围,降 低了工艺难度,提高了工艺的重复性。获得到比较理想的合金形貌,降低 了器件研制对设备的要求。这些技术方面的优势是现有其它欧姆接触技术 所不具备的。

公开日期2006-02-15
申请日期2004-08-09
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7378]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘新宇,刘健,吴德馨,等. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统. CN200410058033.8. 2009-05-06.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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