一种用于绝缘体硅射频集成电路的集成结构，其中包括：一绝缘体 硅衬底，包括单晶硅层、隔离氧化层和硅薄层；场氧化层采用局域场氧 化隔离技术形成在硅薄层里与隔离氧化层相连，以阻断器件漏电；栅氧 化层是在硅薄层表面氧化形成；多晶硅层是在栅氧化层上淀积形成的； 氮化硅层形成在多晶硅层的周围；二硅化钛薄层以点状分布在硅薄层上； 第一层铝薄膜形成在二硅化钛薄层上；一二氧化硅层形成在场氧化层、 多晶硅层、氮化硅层、二硅化钛薄层和第一层铝薄膜上；部分第一层铝 薄膜镶嵌在二氧化硅层中；第二层铝薄膜与第一层铝薄膜局部相连，并 形成于二氧化硅层上。