用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元
文献类型:专利
作者 | 陈勇![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2012-06-20 |
专利号 | CN200810226686.0 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元,包括:一第一级跨导-电容积分单元,包括两个NMOS晶体管和一个电容,用于将接收的输入电压信号转换成电流信号,并给电容充电;一第二级跨导-电容积分单元,包括两个PMOS晶体管和一个电容,用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号,并给电容充电;一内部堆叠管,包括两个PMOS晶体管,控制输出共模电压,并用于与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点;一电流源,用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流;一同相前馈电容组件,包括两个电容,用于确定跨导-电容双二阶单元的复数共轭零点特性。利用本发明,实现了零极点型高阶滤波器,降低了功耗。 |
公开日期 | 2010-06-16 |
申请日期 | 2008-11-19 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7440] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈勇,周玉梅,卫宝跃. 用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元. CN200810226686.0. 2012-06-20. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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