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用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元

文献类型:专利

作者陈勇; 周玉梅; 卫宝跃
发表日期2012-06-20
专利号CN200810226686.0
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元,包括:一第一级跨导-电容积分单元,包括两个NMOS晶体管和一个电容,用于将接收的输入电压信号转换成电流信号,并给电容充电;一第二级跨导-电容积分单元,包括两个PMOS晶体管和一个电容,用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号,并给电容充电;一内部堆叠管,包括两个PMOS晶体管,控制输出共模电压,并用于与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点;一电流源,用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流;一同相前馈电容组件,包括两个电容,用于确定跨导-电容双二阶单元的复数共轭零点特性。利用本发明,实现了零极点型高阶滤波器,降低了功耗。

公开日期2010-06-16
申请日期2008-11-19
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7440]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈勇,周玉梅,卫宝跃. 用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元. CN200810226686.0. 2012-06-20.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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