一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 柴淑敏; 徐秋霞; 许高博 |
| 发表日期 | 2008-10-24 |
| 专利号 | CN101728257A |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法，步骤为：(1)在常规清洗后，在氢氟酸/异丙醇/水溶液中浸泡，以抑制颗粒和自然氧化物的生长；(2)紧接着用RTA生长超薄界面氧化层SiOx或氮氧化层SiON；(3)采用PVD方法，利用磁控反应溅射工艺交替溅射Hf-La靶和Hf靶淀积HfLaON高介电常数(K)栅介质；(4)淀积HfLaON后，快速热退火；(5)采用PVD方法，磁控反应溅射TaN金属薄膜；(6)TaN金属电极和背面欧姆接触形成后，进行合金退火处理。 |
| 公开日期 | 2010-06-09 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7472]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴淑敏,徐秋霞,许高博. 一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法. CN101728257A. 2008-10-24. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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