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一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法

文献类型:专利

作者李晶晶; 牛洁斌; 朱效立; 刘明; 赵以贵
发表日期2012-05-23
专利号CN200810222328.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法,该方法 是利用电子束光刻在镂空的聚酰亚胺自支撑薄膜上制作叉指换能器的母 版,再利用X射线曝光在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图 形,然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。利用本发明,可以极大地 减小电极材料的背散射效应,得到纳米尺度的叉指换能器电极,进一步提 高声表面波器件的工作频率和性能。另外,还可以反复多次进行X射线曝 光,提高了制作效率,极大减小了制作成本。

公开日期2010-03-24
申请日期2008-09-17
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7484]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李晶晶,牛洁斌,朱效立,等. 一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法. CN200810222328.2. 2012-05-23.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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