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针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路

文献类型:专利

作者刘新宇; 李滨; 陈晓娟; 陈高鹏
发表日期2012-11-21
专利号CN200810118973.X
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路,其 特征在于,该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹 配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成,其中,该 微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的 栅极,该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配 场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常 见的低频振荡,提高放大器稳定性,拓宽偏置电路带宽,只引入很低的插 入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率 放大器。

公开日期2010-03-03
申请日期2008-08-27
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7506]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘新宇,李滨,陈晓娟,等. 针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路. CN200810118973.X. 2012-11-21.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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