本发明公开了一种基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法，该方 法包括：在硅衬底上表面淀积SiN_X薄膜；光刻，刻蚀该SiN_X薄膜， 形成腐蚀窗口；腐蚀所述形成腐蚀窗口的硅衬底上表面，形成带硅突 点的空腔；在硅衬底上表面淀积SiN_X薄膜，密封腐蚀窗口。本发明提 供的方法工艺步骤简单，成本低廉，生产效率高，工艺稳定，具有很 强的实用价值，能够适应大规模生产的要求。