一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法
文献类型：专利
| 作者 | 柴淑敏; 许高博; 徐秋霞 |
| 发表日期 | 2007-11-28 |
| 专利号 | CN101447420 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种制备高介电常数栅介质薄膜HfSiON的方法， 该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后 的硅片上淀积高介电常数的HfSiON栅介质薄膜；对淀积了HfSiON栅 介质薄膜的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火；在 退火后的硅片上形成金属栅。利用本发明，解决了随着小尺寸器件栅 介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题。 |
| 公开日期 | 2009-06-03 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7726]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴淑敏,许高博,徐秋霞. 一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法. CN101447420. 2007-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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