基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 明安杰![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
专利号 | CN200810239363.5 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及一种基于多晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及 其制备方法。该阵列的制备方法包括:步骤A.深槽刻蚀,填充及平坦化, 以在横向划分红外探测单元;步骤B.在底硅层正面淀积埋氧层和顶硅层; 步骤C.在每一红外探测单元中的顶硅层正面形成绝缘隔离槽及制作绝热悬 臂梁上的多晶硅导线;步骤D.在每一红外探测单元中的顶硅层设置数个串 联的多晶硅PN结;步骤E.形成双层金属布线;步骤F.在每一红外探测单 元中制作悬空的绝热悬臂梁,刻蚀所述底硅层,形成所述空腔。本发明利用 多晶硅PN结的良好的温度特性,通过测量多晶硅PN结两端的电压的变化, 以获得红外辐射强弱的探测结果。 |
公开日期 | 2009-05-20 |
申请日期 | 2008-12-11 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7780] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 明安杰,何伟,薛惠琼,等. 基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法. CN200810239363.5. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。