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基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法

文献类型:专利

作者明安杰; 何伟; 薛惠琼; 焦斌斌; 欧毅; 陈大鹏
专利号CN200810239363.5
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明涉及一种基于多晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及 其制备方法。该阵列的制备方法包括:步骤A.深槽刻蚀,填充及平坦化, 以在横向划分红外探测单元;步骤B.在底硅层正面淀积埋氧层和顶硅层; 步骤C.在每一红外探测单元中的顶硅层正面形成绝缘隔离槽及制作绝热悬 臂梁上的多晶硅导线;步骤D.在每一红外探测单元中的顶硅层设置数个串 联的多晶硅PN结;步骤E.形成双层金属布线;步骤F.在每一红外探测单 元中制作悬空的绝热悬臂梁,刻蚀所述底硅层,形成所述空腔。本发明利用 多晶硅PN结的良好的温度特性,通过测量多晶硅PN结两端的电压的变化, 以获得红外辐射强弱的探测结果。

公开日期2009-05-20
申请日期2008-12-11
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7780]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
明安杰,何伟,薛惠琼,等. 基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法. CN200810239363.5.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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