本发明提供一种非易失性电阻转变型存储器，其中在电阻转变存储层与 电极之间设置有缓冲层，从而能够增加存储器的总电阻，进而减小存储器的 工作电流，而且缓冲层还可改善界面处的势垒高度，从而降低存储器的工作 电压，进而降低存储器的功耗。本发明提供的具有缓冲层结构的电阻转变型 存储器制造工艺简单、制作成本低并且与传统CMOS工艺兼容。相应地，本 发明还提供一种制造非易失性电阻转变型存储器的方法。