本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一 种制备交叉分子电子器件的方法，包括：在基片上淀积一层绝缘介质；在 该绝缘介质层上旋涂抗蚀剂，在该抗蚀剂上光刻出交叉结构图形；利用抗 蚀剂作为掩蔽刻蚀该绝缘介质层，将交叉结构图形转移到绝缘介质层上， 然后去除多余的抗蚀剂；沿着交叉结构中线条的一个方向，按一定角度蒸 发金属，形成下电极；在下电极上淀积双稳态分子薄膜；沿着交叉结构中 线条的另一个方向，按一定角度蒸发金属，形成上电极。利用本发明，有 效地改避免金属剥离工艺对有机分子造成的损伤，同时具有工艺流程简单 等优点。