一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
文献类型：专利
| 作者 | 王建海; 黄清华; 刘训春; 王佳; 周宗义; 李兵 |
| 发表日期 | 2008-09-26 |
| 专利号 | CN101399184 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造 领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和 电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频 供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏 压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过 电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地 降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。 |
| 公开日期 | 2009-04-01 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7888]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王建海,黄清华,刘训春,等. 一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统. CN101399184. 2008-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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