一种硅基有机发光微显示器件表面银电极的制备方法
文献类型:专利
作者 | 韩郑生![]() ![]() ![]() ![]() |
专利号 | CN200810224032.4 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及硅基有机发光微显示器件制造技术领域,具体涉及一种硅基有 机发光微显示器件表面银电极的制备方法。为了解决现有技术中有机发光微显 示器件表面电极不平整的问题,本发明提供一种硅基有机发光微显示器件表面 银电极的制备方法,在硅基片基底上依次完成内部驱动电路、绝缘层、像素表 面电极下的通孔,然后在整个表面形成一层绝缘层,光刻后进行刻蚀,将像素 区域的绝缘层去除,露出通孔,保留像素间的绝缘层作为隔离墙进行隔离,之 后在表面形成金属银层,进行CMP工艺,直到隔离墙露出,此时像素之间隔 离开。本发明有效的提高了银与绝缘层的黏附性,在CMP工艺时不易脱落; 表面银电极形成大马士革结构,采用CMP工艺提高表面平整度。 |
公开日期 | 2009-03-25 |
申请日期 | 2008-10-10 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7906] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,王晓慧,潘国顺,等. 一种硅基有机发光微显示器件表面银电极的制备方法. CN200810224032.4. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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