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一种硅基有机发光微显示器件表面银电极的制备方法

文献类型:专利

作者韩郑生; 王晓慧; 潘国顺; 黄苒; 夏洋; 杜寰; 赵毅
专利号CN200810224032.4
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明涉及硅基有机发光微显示器件制造技术领域,具体涉及一种硅基有 机发光微显示器件表面银电极的制备方法。为了解决现有技术中有机发光微显 示器件表面电极不平整的问题,本发明提供一种硅基有机发光微显示器件表面 银电极的制备方法,在硅基片基底上依次完成内部驱动电路、绝缘层、像素表 面电极下的通孔,然后在整个表面形成一层绝缘层,光刻后进行刻蚀,将像素 区域的绝缘层去除,露出通孔,保留像素间的绝缘层作为隔离墙进行隔离,之 后在表面形成金属银层,进行CMP工艺,直到隔离墙露出,此时像素之间隔 离开。本发明有效的提高了银与绝缘层的黏附性,在CMP工艺时不易脱落; 表面银电极形成大马士革结构,采用CMP工艺提高表面平整度。

公开日期2009-03-25
申请日期2008-10-10
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/7906]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
韩郑生,王晓慧,潘国顺,等. 一种硅基有机发光微显示器件表面银电极的制备方法. CN200810224032.4.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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