本发明涉及微纳米加工技术领域，公开了一种制备射频单电子晶体管 位移传感器的方法，包括：对SOI衬底的顶层硅进行离子注入及快速退火； 在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂，采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形 成由源、漏、库仑岛、隧道结、侧栅以及双端固支梁构成的位移传感器核 心组件结构；利用电子抗蚀剂掩蔽刻蚀SOI衬底的顶层硅，将电子抗蚀剂 中的图形转移到表层硅上；涂敷光学抗蚀剂、光刻，定义各个电极的位置； 沉积金属电极材料；剥离金属、合金，形成欧姆接触的电极；二次电子束 套准曝光，使得双端固支梁的部分露出窗口；腐蚀牺牲层，使得双端固支 梁悬空。利用本发明，具有工艺步骤少、简单、可靠、能与传统CMOS 工艺兼容的优点。