一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关
文献类型:专利
作者 | 景玉鹏![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2010-08-18 |
专利号 | CN200710064879.6 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及射频微机电系统技术领域,公开了一种静电推拉式单晶硅 梁射频微机电系统开关,包括开关可动部分和开关不可动部分;所述开关 可动部分由SOI的顶层单晶硅形成,在该开关可动部分两端的上侧面分别 有下电极和接触点;所述开关不可动部分与SOI顶层单晶硅固定连接,在 开关不可动部分两端的下侧面与所述开关可动部分下电极对应的位置有 上电极,在开关不可动部分两端的下侧面与所述开关可动部分接触点对应 的位置有传输线;通过分别给两端的上电极和下电极之间加电压,使上电 极与下电极形成推拉式结构,进而接触或断开传输线与接触点,实现开关 动作。利用本发明,降低了驱动电压,增加了开关的寿命,使RF MEMS 产品化成为可能。 |
公开日期 | 2008-10-01 |
申请日期 | 2007-03-28 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8012] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 景玉鹏,陈大鹏,叶甜春,等. 一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关. CN200710064879.6. 2010-08-18. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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