非接触式微电子机械系统红外温度报警器的制备方法
文献类型:专利
作者 | 董立军![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
专利号 | CN200710064868.8 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种制备非接触式MEMS红外温度报警器的方法,包 括:在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜;涂光学光刻胶,对光 学光刻胶进行光刻显影,形成悬臂梁图形;蒸发铬薄膜,剥离形成铬掩蔽 图形;将氮化硅薄膜刻透,得到悬臂梁和电极通孔图形;涂光学光刻胶, 正面套刻第二版电极通孔图形;蒸发铬/金薄膜,超声剥离,得到被填充的 电极通孔;在背面涂厚光刻胶,光刻第三版腐蚀窗口图形;将背面的氮化 硅薄膜刻透,得到背面腐蚀窗口图形;将第一片硅衬底放入湿法腐蚀液中 进行腐蚀,得到悬臂梁结构;在第二片硅衬底上蒸发铬/金薄膜;将第一片 和第二片硅衬底对准键和,然后划片并焊接引线。利用本发明,降低了制 备成本,有利于广泛推广和应用。 |
公开日期 | 2008-10-01 |
申请日期 | 2007-03-28 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8032] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 董立军,刘辉,欧毅,等. 非接触式微电子机械系统红外温度报警器的制备方法. CN200710064868.8. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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