本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一 种制备交叉结构有机分子器件的方法，该方法包括：A.在基片表面上淀 积电介质薄膜；B.在电介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，利用X射线光刻和 显影在抗蚀剂上得到电极图形；C.淀积金属，剥离得到下电极金属图形； D.生长有机分子薄膜；E.淀积上电极金属材料；F.旋涂抗蚀剂，X射 线光刻并显影，得到上电极图形；G.以抗蚀剂为掩蔽刻蚀，得到上电极； H.去胶，完成交叉有机分子器件的制备。利用本发明，有效地改善了交 叉结构有机分子器件的制备。