一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法
文献类型:专利
作者 | 涂德钰; 刘明![]() ![]() |
发表日期 | 2009-09-23 |
专利号 | CN200610012052.6 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明属于有机半导体学中的微细加工领域,特别涉及一种结合压 印技术制备各向异性有机场效应管的方法。其步骤如下:1.在导电基底 上制备绝缘介质层;2.在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半 导体薄膜;3.利用模板压印有机薄膜,把设计的模板图形转移到第一层 有机薄膜上;4.沉积生长第二层同质有机物薄膜;5.通过镂空的掩模 版沉积源漏金属电极,完成各向异性有机场效应管的制备。 |
公开日期 | 2007-12-05 |
申请日期 | 2006-05-31 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8128] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 涂德钰,刘明,商立伟,等. 一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法. CN200610012052.6. 2009-09-23. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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