本发明属于微电子学与分子电子学中的微细加工领域，特别是一种 纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法。其步骤如下：1.在 基片表面上淀积绝缘层薄膜；2.在绝缘层薄膜表面上旋涂电子束抗蚀剂， 电子束曝光、显影得到下电极图形；3.蒸发制备下电极金属；4.金属 剥离得到交叉线下电极；5.在下电极上覆盖生长有机分子薄膜；6.在 有机分子薄膜上蒸发制备金属保护层；7.在保护层上面旋涂双层光刻胶， 电子束曝光、显影得到上电极图形；8.斜向蒸发制备上电极金属薄膜； 9.金属剥离得到交叉线上电极；10.干法刻蚀保护层，完成交叉线有机 分子器件的制备。