本实用新型公开了一种由低压气体腔的腔座、绝缘罩以及射频线圈等部分组成，用于半导体精细加工的高密度等离子体工艺装置。该装置采用多阶层的塔状绝缘罩体，并使连续连接的一组多匝射频线圈按上下顺序围绕在塔状罩体的各阶层外壁上，其顶层与最下层线圈的线端经匹配电路与一射频电源相连。这样的装置能在更低气压范围内稳定地产生高密度等离子体。