干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构
文献类型：专利
| 作者 | 韩阶平; 马俊如; 罗澎; 金钟元 |
| 发表日期 | 1990-12-19 |
| 专利号 | CN2080233 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构。本实用新型提供一种磁控反应离刻蚀机上施加磁场的永磁磁路结构，该永磁磁路结构设于反应室内直接构成磁场，由一对包括许多永磁磁铁单元的极板，一个软铁回路以及角铁组成。通过调整可使硅片刻蚀区形成均匀的强度可调的磁场。本实用新型磁路结构简单，可降低设备制造成本，提高精度，提高设备可靠性和易操作性。 |
| 公开日期 | 1991-07-03 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8218]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩阶平,马俊如,罗澎,等. 干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构. CN2080233. 1990-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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