一种氮化氧化膜的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐秋霞; 高文方; 韩郑生 ; 侯瑞兵
|
| 发表日期 | 2004-12-01 |
| 专利号 | CN02147232.7 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 一种氮化氧化膜的制备方法，将氮离子注入到硅衬底中再氧化。步骤为：在完成隔离的硅片上清洗后生长注前氧化膜，然后对有源区进行14N+注入；漂净注前氧化膜；清洗后用HF/IPA/H2O室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干立即进炉；大流量N2保护下550℃进舟，慢推，大流量N2保护；升温至700-900℃，N2恒温；同一温度下，N2/O2＝5∶1气氛氧化，氧化时间1-120分钟；N2气氛，700-900℃退火，15-60分钟；N2保护下降温至550℃，再在大流量N2保护下慢拉出舟；化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅：温度620℃，压力0.2乇，SiH4200sccm，Ar800sccm。 |
| 公开日期 | 2003-03-19 |
| 申请日期 | 2002-10-18 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8290]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,高文方,韩郑生,等. 一种氮化氧化膜的制备方法. CN02147232.7. 2004-12-01. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。