自举式-互补传输门电荷恢复低功耗电路结构
文献类型：专利
| 作者 | 仇玉林; 陈潮枢; 李晓民; 罗家俊 |
| 发表日期 | 2001-07-26 |
| 专利号 | CN1399407 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种自举式—互补传输门电荷恢复低功耗电路结构，包括：第一、第二PMOS管源极和衬底接脉冲电源，门极和漏极接A1结点和B1结点；第一、第二NMOS管漏极接B1结点，源极接地门极接输入信号；第三NMOS管源极接B1结点，门极接脉冲电源，漏极接B2结点；第三PMOS管源极接B1结点，门极接反相脉冲电源，漏极接B2结点，衬底接直流电压；第四NMOS管源极接A1结点，门极接脉冲电源，漏极接A2结点；第四PMOS管源极接A1结点，门极接反相脉冲电源，漏极接A2结点，衬底接直流电压；第五NMOS管源极接脉冲电源，门极接B2结点，漏极接输出结点C；第六NMOS管源极接脉冲电源，门极接A2结点，漏极接输出结点D；所述的NMOS管的衬底均接地。 |
| 公开日期 | 2003-02-26 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8294]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇玉林,陈潮枢,李晓民,等. 自举式-互补传输门电荷恢复低功耗电路结构. CN1399407. 2001-07-26. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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