双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构
文献类型：专利
| 作者 | 罗家俊; 陈潮枢; 李晓民; 仇玉林 |
| 发表日期 | 2001-07-26 |
| 专利号 | CN1399326 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构，包括：第一PMOS管，源极和衬底接在高幅值的脉冲电源，门极和漏极接在A结点和B结点；第二PMOS管，源极和衬底都接在高幅值的脉冲电源上，门极和漏极接在B结点和A结点；第一NMOS管，漏极接在B结点，源极接地，门极接输入信号；第二NMOS管，漏极接在A结点，源极接地，门极接另一输入信号；第三NMOS管，其漏极接在输出结点C，源极接低摆幅的脉冲电源，门极接B结点；第四NMOS管，漏极接在输出结点D，源极接低摆幅的脉冲电源，门极接在A结点；第五NMOS管，漏极接在输出结点C，源极接地，门极接A结点；第六NMOS管，漏极接在输出结点D，源极接地，门极接A结点；所有的NMOS管的衬底均接地。 |
| 公开日期 | 2003-02-26 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8296]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗家俊,陈潮枢,李晓民,等. 双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构. CN1399326. 2001-07-26. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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