本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶，或者先淀积一层SiO2或SiN介质层后涂正性光刻胶，然后光刻出发射极或栅极窗口图形，再用等离子体刻蚀将上层光刻胶上的窗口图形转移到底层光刻胶或介质层上，适当扩大窗口后蒸发或溅射发射极所需金属，再经剥离获得T型发射极或栅极金属图形。本方法适用于多种金属，使发射区和基区面积大为缩小，器件频率特性提高。