一种钴－自对准硅化物的方法
文献类型：专利
| 作者 | 钱鹤; 柴淑敏; 徐秋霞; 季红浩 |
| 发表日期 | 2000-12-19 |
| 专利号 | CN1360340 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种钴—自对准硅化物的方法，本方法具有五个步骤：步骤1：采用钴/钛/硅固相反应结构；步骤2：采用氢氟酸/异内醇溶液的清洗；步骤3：采用溅射钴/钛膜前的真空腔内退火处理；步骤4：低应力双层钴/钛复合膜的溅射；步骤5：钴—自对准硅化物工艺。 |
| 公开日期 | 2002-07-24 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8312]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钱鹤,柴淑敏,徐秋霞,等. 一种钴－自对准硅化物的方法. CN1360340. 2000-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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