束致变蚀技术
文献类型：专利
| 作者 | 徐卫东; 陈梦真; 刘辉; 韩阶平; 王守武; 王培大; 杜甲丽; 李秀琼 |
| 发表日期 | 1994-12-09 |
| 专利号 | CN1124364 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀技术。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂混合物层；在一定温度下经过用氮鼓泡的氟化氢溶液的混合气体中腐蚀。可使选择轰击二氧化硅表面的二个区的腐蚀速率比达到１∶１００，刻蚀分辨率为亚微米级，正负图形可变并且清晰完整，可靠性高。 |
| 公开日期 | 1996-06-12 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8330]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐卫东,陈梦真,刘辉,等. 束致变蚀技术. CN1124364. 1994-12-09. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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