A short-channel SOI RF power LDMOS technology with TiSi2 salicide on dual sidewalls with cutoff frequency f(T) similar to 19.3 GHz
文献类型：外文期刊
| 作者 | Yang, R; Li, JF; Qian, H; Lo, GQ; Balasubramanian, N; Kwong, DL |
| 发表日期 | 2006 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8586]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, R,Li, JF,Qian, H,et al. A short-channel SOI RF power LDMOS technology with TiSi2 salicide on dual sidewalls with cutoff frequency f(T) similar to 19.3 GHz. 2006. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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