Characterization of stress induced in SOS and Si/gamma-Al2O3/Si heteroepitaxial thin films by Raman spectroscopy
文献类型：外文期刊
| 作者 | Wang, QY; Wang, J; Wang, JH; Liu, ZL; Lin, LY |
| 发表日期 | 2005 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8604]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, QY,Wang, J,Wang, JH,et al. Characterization of stress induced in SOS and Si/gamma-Al2O3/Si heteroepitaxial thin films by Raman spectroscopy. 2005. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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