中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Charge storage characteristics of hydrogenated nanocrystalline silicon film prepared by rapid thermal annealing

文献类型:外文期刊

作者Li, ZG; Long, SB; Liu, M; Wang, CS; Jia, R; Lv, J; Shi, Y
发表日期2007
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/8608]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
Li, ZG,Long, SB,Liu, M,et al. Charge storage characteristics of hydrogenated nanocrystalline silicon film prepared by rapid thermal annealing. 2007.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。