High-performance enhancement-mode pseudomorphic InGaP/InGaAs/GaAs HEMT structures by gas source molecular beam epitaxy
文献类型：外文期刊
| 作者 | Li, AZ; Chen, YQ; Chen, JX; Qi, M; Liu, XC; Chen, J; Wang, RM; Wang, WL; Li, WX |
| 发表日期 | 2003 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8674]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, AZ,Chen, YQ,Chen, JX,et al. High-performance enhancement-mode pseudomorphic InGaP/InGaAs/GaAs HEMT structures by gas source molecular beam epitaxy. 2003. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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