Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
文献类型：外文期刊
| 作者 | Liu, HH; Duan, XF; Qi, XY; Xu, QX; Li, HO; Qian, H |
| 发表日期 | 2006 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8700]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, HH,Duan, XF,Qi, XY,et al. Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction. 2006. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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