New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology
文献类型：外文期刊
| 作者 | Xu, QX; Hu, CM |
| 发表日期 | 1998 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8702]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu, QX,Hu, CM. New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology. 1998. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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