中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
  2. 微电子研究所
  3. 中国科学院微电子研究所
  4. 回溯数据库（1992-2008年）
Quasi-SOI MOSFETs - A promising bulk device candidate for extremely scaled era

文献类型：外文期刊

作者Tian, Y; Xiao, H; Huang, R; Feng, C; Chan, M; Chen, B; Wang, R; Zhang, X; Wang, Y
发表日期2007
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/8732]  
专题微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式
GB/T 7714		 Tian, Y,Xiao, H,Huang, R,et al. Quasi-SOI MOSFETs - A promising bulk device candidate for extremely scaled era. 2007.

入库方式： OAI收割

来源：微电子研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。