Simulation and comparison of MOS inversion layer quantum mechanics effects in SiGePMOSFET and SiPMOSFET
文献类型：外文期刊
| 作者 | Yang, R; Luo, JS; Tu, J; Zhang, RZ |
| 发表日期 | 2004 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8748]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, R,Luo, JS,Tu, J,et al. Simulation and comparison of MOS inversion layer quantum mechanics effects in SiGePMOSFET and SiPMOSFET. 2004. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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