Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
文献类型：外文期刊
| 作者 | Liu, HH; Duan, XF; Xu, QX; Liu, BG |
| 发表日期 | 2008 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8758]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, HH,Duan, XF,Xu, QX,et al. Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction. 2008. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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